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IRLL2705PBF
停产 1个N沟道 耐压:55V 电流:3.8A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLL2705PBF
- 商品编号
- C136639
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
优惠活动
购买数量
(80个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个80个/管
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