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CJ3401

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A

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描述
P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V
商品型号
CJ3401
商品编号
C13799
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)954pF
反向传输电容(Crss)77pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)115pF

商品概述

MDT30N10L采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 100 V,漏极电流(ID) = 30 A
  • 栅源电压(VGS) = 10 V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 30 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低漏源导通电阻(Rdson)
  • 对雪崩电压和电流进行了全面表征
  • 具有高EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用出色的封装,散热性能良好

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF