CJ3401
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ3401
- 商品编号
- C13799
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
MDT30N10L采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100 V,漏极电流(ID) = 30 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 30 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低漏源导通电阻(Rdson)
- 对雪崩电压和电流进行了全面表征
- 具有高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
