- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DS1220AB-100IND+
16k非易失SRAM
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- 描述
- DS1220AB 是一款16k非易失性静态随机存取存储器，具有10年的最小数据保留时间和无限次写入周期。它可以直接替代2k x 8的易失性静态RAM或EEPROM。在断电情况下，数据由内部锂能源自动保护，无需外部支持电路。提供JEDEC标准24针DIP封装，工作电压范围为4.75V至5.25V，适用于工业温度范围。
- 商品型号
- DS1220AB-100IND+
- 商品编号
- C1352172
- 商品封装
- EDIP-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能；低电压自动写保护 |
- IS46R16160F-6TLA2
- IS61WV102416FBLL-8TLI
- IS61LP6436A-133TQLI
- IS42RM32800K-6BLI
- IS43LR32320B-6BLI
- IS42S32400F-6BL
- IS61LF6436A-8.5TQLI
- IS41LV16100D-50TLI
- 71V35761S166PFG
- AS8C803625-QC75N
- IS43R86400F-6BLI
- IS65WV12816BLL-55TLA3
- AS4C8M32S-6TIN
- IS61WV51216EDALL-20TLI
- MT61K256M32JE-14:A
- IS42S16320F-6BLI
- IS42S32160F-75ETL
- IS46R16160F-6BLA1
- MT47H128M16RT-25E AIT:C
- MT25QL512ABB8E12-0AUT TR
- IS42S16320F-6TLI