DS1249Y-70IND#
2048k非易失SRAM
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- 商品型号
- DS1249Y-70IND#
- 商品编号
- C1352653
- 商品封装
- EDIP-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能;低电压自动写保护 |
商品概述
DS1249 2048k 非易失性SRAM是容量为2097152位的全静态非易失性SRAM,组织形式为262144字×8位。每个NV SRAM自带锂能源和控制电路,可持续监测VCC是否出现超出容差的情况。当出现该情况时,锂能源会自动接通,无条件启用写保护以防止数据损坏。可执行的写周期次数没有限制,微处理器接口不需要额外的支持电路。
商品特性
- 无外部电源时,数据保留时间最低为10年
- 断电期间数据自动保护
- 无限写周期
- 低功耗CMOS运行
- 读写访问时间为70 ns
- 首次通电前,锂能源处于电断开状态以保持能源新鲜度
- DS1249Y支持全范围±10% VCC工作范围
- DS1249AB可选±5% VCC工作范围
- 可选工业温度范围为-40℃至+85℃,标记为IND
- JEDEC标准32引脚DIP封装
- DS1250YP-70+
- IS61NLF51236B-7.5TQLI
- IS61VPS102418B-200TQLI
- 7006L20JGI
- 71V256SA12YGI
- 7130LA25TFGI
- AS7C316096C-10BIN
- IS62WV12816EALL-55TLI
- IS43R86400E-5BLI
- IS45S16160J-7BLA2
- 7134LA25PDGI
- IS46TR16256AL-15HBLA1
- SST39VF800A-70-4I-EKE
- IS42VM32100D-75BLI
- S29GL01GS12DHVV10
- IS42VM16320E-75BLI
- AT28C256F-15SU
- IS45S32800J-6BLA1
- 71V3557S75PFG
- 71V3577S85BQG
- IS42RM16200D-6BLI


