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MT47H128M16RT-25E AIT:C
2Gb容量，x8、x16位宽汽车级DDR2 SDRAM
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- 描述
- 特性：工业和汽车温度兼容，VDD = 1.8V ± 0.1V，VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H128M16RT-25E AIT:C
- 商品编号
- C1352201
- 商品封装
- FBGA-84(9x12.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 400MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 90mA | |
| 刷新电流 | 12mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- 符合工业和汽车温度要求
- VDD = 1.8V ±0.1V，VDDQ = 1.8V ±0.1V
- JEDEC标准1.8V I/O（兼容SSTL_18）
- 差分数据选通（DQS、DQS#）可选
- 4n位预取架构
- x8可选双输出选通（RDQS）
- DLL用于使DQ和DQS转换与CK对齐
- 8个内部存储体用于并发操作
- 可编程CAS延迟（CL）
- 后置CAS附加延迟（AL）
- 写入延迟 = 读取延迟 - 1个时钟周期
- 可编程突发长度（BL）：4或8
- 可调数据输出驱动强度
- 32ms，8192周期刷新
- 片上终端（ODT）
- 符合RoHS标准
- 支持JEDEC时钟抖动规范
- 符合AEC - Q100标准
- 提交生产件批准程序（PPAP）
- 8D响应时间
- MT25QL512ABB8E12-0AUT TR
- IS42S16320F-6TLI
- IS61WV102416FBLL-10BLI
- IS42S16320F-6BL
- 71V67703S80PFG
- 71V67703S75PFG
- 71V67703S85PFG
- 71V3557S85PFGI
- 71V3576S150PFGI
- 71V3557S80PFGI
- 71V3577S80PFGI
- 71V65803S133PFG
- 71256L25YGI
- 71V65903S80PFG
- 71V424L15YGI
- 71V65803S100PFG
- IS43R86400E-6TLI
- 71V416L12BEI
- AT25DF011-XMHNGU-B
- 25AA640A-E/MS
- MT25QU01GBBB8E12-0AUT