MT40A512M16LY-062E:E
8Gb X4/X8/X16 DDR4 同步动态随机存取存储器
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- 描述
- 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A512M16LY-062E:E
- 商品编号
- C1352320
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR4 | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 54mA | |
| 刷新电流 | 8.6mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
