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MT40A512M16LY-062E:E
8Gb X4/X8/X16 DDR4 同步动态随机存取存储器
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- 描述
- 特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A512M16LY-062E:E
- 商品编号
- C1352320
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 54mA | |
| 刷新电流 | 8.6mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V，-125mV 至 +250mV，片上、内部、可调 VREFDQ 生成
- 1.2V 伪开漏 I/O
- 在 TC 温度范围内 8192 周期的刷新时间：
- -40°C 至 85°C 时为 64ms
- 高于 85°C 至 95°C 时为 32ms
- 高于 95°C 至 105°C 时为 16ms
- 16 个内部存储体（x4、x8）：每组 4 个存储体，共 4 组
- 8 个内部存储体（x16）：每组 4 个存储体，共 2 组
- 8n 位预取架构
- 可编程数据脉冲前沿
- 数据选通脉冲前沿训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器读写能力
- 写电平校准
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片上终端（ODT）
- 数据总线反相（DBI）用于数据总线
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个 DRAM 可寻址性
- 连通性测试
- 符合 JEDEC JESD - 79 - 4 标准
- 具备 sPPR 和 hPPR 功能
- 支持 MBIST - PPR（仅芯片版本 R）
- MT51J256M32HF-80:B
- MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
- MT51J256M32HF-70:B
- 93C66B-E/ST
- 71V65603S150BQG
- 93C66C-E/MS
- 93LC56C-E/P
- 71V65603S133BQG
- IS43R32800D-5BL
- 93C66A-E/ST
- IS61NLP25636B-200TQLI
- DS1220AB-200IND+
- IS43R32160D-5BL
- IS42S32800J-75ETL
- IS61NLP51218B-200TQLI
- IS43LD16640C-18BLI
- IS46LR16320B-6BLA1
- IS45S32400F-7BLA1
- 7132LA35PDG
- 71V67903S85BQI
- 71V67903S75BQI