MT47H64M8SH-25E:H
512Mb:X4、X8、X16 DDR2 SDRAM
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- 描述
- 特性:VDD = 1.8V ± 0.1V,VDDQ = 1.8V ± 0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 4个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 后置CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可选突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms,8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 工业温度(IT)选项。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H64M8SH-25E:H
- 商品编号
- C1353826
- 商品封装
- FBGA-60
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.459克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR2 | |
| 时钟频率(fc) | 400MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | SDRAM - DDR2 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 400MHz |
| 存储容量 | 512Mb(64M x 8) |
| 访问时间 | 400ps |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C(TC) |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA(8x10) |
| 写周期时间-字,页 | 15ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 1.7V ~ 1.9V |
优惠活动
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(2000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
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