IS42S16320F-6BLI
IS42S16320F 6BLI
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- 描述
- 512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器,根据 DRAM 选项,可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM(536,870,912 位)包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据,并自动生成列地址,能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间,并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS42S16320F-6BLI
- 商品编号
- C1352196
- 商品封装
- TFBGA-54(8x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 167MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
- IS42S32160F-75ETL
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