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IS42VM32160E-75BLI
IS42VM32160E 75BLI
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- 描述
- 这些是移动536,870,912位CMOS同步DRAM，组织为4个存储体，每个存储体有4,194,304个32位字。这些产品提供完全同步操作，并以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径在内部采用流水线设计以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS42VM32160E-75BLI
- 商品编号
- C1352542
- 商品封装
- TFBGA-90(8x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.8V~3.3V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | SDRAM - 移动 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 133MHz |
| 存储容量 | 512Mb（16M x 32） |
| 访问时间 | 6ns |
| 封装/外壳 | 90-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 供应商器件封装 | 90-TFBGA（8x13） |
| 写周期时间-字，页 | - |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 1.7V ~ 1.95V |
优惠活动
购买数量
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