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LP2305LT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- P沟道 -30V
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2305LT1G
- 商品编号
- C131734
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.36nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 826.18pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53.18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90.74pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V
- 栅源电压(Vgs)为 -10 V、漏源电流(Ids)为 -4.2 A 时,导通电阻(RDS(ON)) = 70 mΩ
- 栅源电压(Vgs)为 -4.5 V、漏源电流(Ids)为 -4.0 A 时,导通电阻(RDS(ON)) = 85 mΩ
- 栅源电压(Vgs)为 -2.5 V、漏源电流(Ids)为 -1.0 A 时,导通电阻(RDS(ON)) = 130 mΩ
应用领域
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 我们声明该产品材料无卤且符合 RoHS 要求。