温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G01N20RE
1个N沟道 耐压:200V 电流:1.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关，以及用于许多其他应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G01N20RE
- 商品编号
- C1121840
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(1000个/袋，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1000个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交7单