温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@4.5V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
商品特性
- 12V 高密度设计的 P 沟道 MOS 管
- 超低导通电阻
- RDS(ON) = 50mΩ，典型值@VGS = -4.5V
- RDS(ON) = 68mΩ，典型值@VGS = -2.5V
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统