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BCM857BS-7-F

PNP 电流:100mA 电压:45V

描述
特性:BVCEO > -45V。 IC = -100mA 高集电极电流。 一对本质匹配的 PNP 晶体管。 电流增益 (hFE) 匹配度达 10%。 基极-发射极电压 (VBE) 匹配度为 2mV。 采用小型表面贴装封装,完全内部隔离。 完全无铅,完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
BCM857BS-7-F
商品编号
C105896
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)220@2mA,5V
属性参数值
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@10mA,0.5mA
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量2个PNP

商品特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压(BVCEO)> -45 V
  • 集电极电流(IC)= -100 mA,高集电极电流
  • 一对本质匹配的 PNP 晶体管
  • 电流增益(hFE)匹配度达 10%
  • 基极 - 发射极电压(VBE)匹配度达 2mV
  • 采用小型表面贴装封装,完全内部隔离
  • 完全无铅,完全符合 RoHS 标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

数据手册PDF