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FDA28N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:28A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA28N50
- 商品编号
- C105685
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 122mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.866nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 576pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 14 A条件下,RDS(on) = 122 m Ω(典型值)
- 低栅极电荷(典型值80 nC)
- 低Crss(典型值42 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 等离子电视(PDP TV)
- 不间断电源
- 交流-直流电源