温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 30V、80A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 5.5mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择
应用领域
-主板/显卡/Vcore-负载点应用-开关电源二次侧同步整流