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ISL95808HRZ-T

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描述: 是一款高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器结合，可为高级移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。低侧栅极驱动器典型灌电流为4A，此电流能够在相节点上升沿期间保持低侧MOSFET栅极关断，防止因相电压高dv/dt引起的直通功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用可防止CPU关机期间出现负电压输出，此功能可省去微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL95808HRZ-T
商品编号: C964602
商品封装: DFN-8-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.043克(g)

商品参数

商品概述

ISL95808 是一款高频、双 MOSFET 驱动器，具有低关断电流，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个 N 沟道功率 MOSFET 而优化。它特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压 PWM 控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。

ISL95808 的下栅极驱动器典型灌电流为 4A。该电流能够在相节点上升沿期间使下 MOSFET 栅极保持关断状态，从而防止因相电压的高 dv/dt 导致的直通功率损耗。其工作电压与移动计算机电源中常用 MOSFET 的 30V 击穿电压相匹配。

ISL95808 还具备三态 PWM 输入。该 PWM 输入与英特矽尔的多相 PWM 控制器协同工作，可防止 CPU 关断期间出现负电压输出。这一特性省去了微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管。

使用 ISL95808 可高效切换 MOSFET 栅极，开关频率高达 2MHz。每个驱动器能够驱动 3000pF 的负载，传播延迟为 8ns，转换时间小于 10ns。采用内部肖特基二极管实现自举，这降低了系统成本和复杂度，同时允许使用更高性能的 MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个 MOSFET 同时导通。

ISL95808 集成了二极管仿真功能，可提高轻载条件下的转换器效率。该功能还允许在预偏置输出情况下实现单调启动。启用二极管仿真时，驱动器会通过检测电感电流何时达到零，随后关断低端 MOSFET 栅极，从而实现不连续导通模式。

ISL95808 还具有极低的关断电源电流（5V 时为 3μA），以确保低功耗。

商品特性

用于同步整流桥的双 MOSFET 驱动器
自适应直通保护
0.5Ω 导通电阻和 4A 灌电流能力
支持高达 2MHz 的高开关频率
快速的输出上升和下降时间
低传播延迟
用于功率级关断的三态 PWM 输入
内部自举肖特基二极管
低关断电源电流（5V，3μA）
二极管仿真，可提高轻载效率和用于预偏置启动应用
集成 VCC POR（上电复位）功能
低三态关断延迟时间（典型值 160ns）
DFN 封装
无铅（符合 RoHS 标准）

应用领域

英特尔（Intel）和 AMD 移动微处理器的核心电压电源
高频薄型 DC/DC 转换器
大电流低输出电压 DC/DC 转换器
高输入电压 DC/DC 转换器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	20A
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	8ns
	工作温度	-10℃~+100℃