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SI7423DN-T1-E3
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.4A
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- 描述
- P沟道,-30V,-7.4A,0.018Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7423DN-T1-E3
- 商品编号
- C99986
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
P沟道30V（D-S）MOSFET，PowerPAK 1212-8是一款P沟道MOSFET。PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的衍生产品，采用相同封装技术，可最大化芯片面积。芯片底部的连接垫暴露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径。该封装尺寸小，热阻抗超低，适用于空间受限的应用。其占地面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，能利用任何PC板散热器能力，与TSSOP-8相比，可使结温降低，芯片效率提高约20%。单双版本的PowerPAK 1212-8与单双版本的PowerPAK SO-8采用相同引脚排列，1.05mm的低高度使其成为空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 新型PowerPAK封装
- 低热阻RthJC
- 低至1.07mm的外形高度
应用领域
-电池开关