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MC14106BDR2G
MC14106BDR2G
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- 描述
- MC14106B六施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一的单片结构中。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。MC14106B可替代MC14069UB六反相器，以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行“整形”
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC14106BDR2G
- 商品编号
- C100035
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 反相器 | |
| 输入类型 | 施密特触发器 | |
| 工作电压 | 3V~18V | |
| 静态电流(Iq) | 1uA | |
| 通道数 | 6 | |
| 输入数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 8.8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 8.8mA | |
| 输入高电平(VIH) | 3.6V~10.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 900mV~4V | |
| 传播延迟(tpd) | 80ns@15V,50pF | |
| 系列 | 4000B系列 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
应用领域
- 单稳态多谐振荡器
- 无稳态多谐振荡器
- 积分器
- 边沿检测电路
- 微分器
- 正边沿延时电路