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ATM6402NSA
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.1A
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- 描述
- ATM6402NSA采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM6402NSA
- 商品编号
- C915740
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 645pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS(V) = 30 V
- ID = 6.1 A (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 22 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 35 mΩ (VGS = 4.5 V)
应用领域
- 用于一般开关和低压电源电路
- 适用于通用开关和低压电路
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