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ATM2N65TF
N沟道增强型功率MOSFET，漏源电压650V，连续漏极电流2A
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- 描述
- 是高电压功率MOSFET，具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路的高速开关应用中。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2N65TF
- 商品编号
- C915729
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.297克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
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