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ATM2601PSG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM2601PSG

2个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A

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商品型号
ATM2601PSG
商品编号
C915728
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)860mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)3.3nC@2.5V
输入电容(Ciss)405pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET经过精心设计,在最大限度降低导通电阻的同时,还能保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -20V,漏极电流(ID) = -2.8A
  • 栅源电压(VGS) = -2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 80mΩ
  • 栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 70mΩ
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合无卤产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF