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ATM4N65TE实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM4N65TE

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A

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商品型号
ATM4N65TE
商品编号
C915726
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.449克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@10V,2.2A
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)670pF@25V
反向传输电容(Crss)23pF@25V
工作温度-

商品特性

  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 获得无铅产品认证
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 便携式设备的负载开关
  • 直流-直流转换器

数据手册PDF