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ATM4N65TE
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM4N65TE
- 商品编号
- C915726
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.449克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 670pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 2.2 A时,RDS(ON) < 2.5 Ω
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力,具有高抗扰性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC-DC转换器
- 桥式电路