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ATM8N80TF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM8N80TF

1个N沟道 耐压:800V 电流:8A

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描述
使用先进技术提供平面条纹和 DMOS 技术。该技术可实现最小导通电阻和卓越的开关性能。能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。通常应用于高效开关电源。
商品型号
ATM8N80TF
商品编号
C915725
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.706克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))1.18Ω@10V
耗散功率(Pd)59W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)47nC@10V
输入电容(Ciss)1.58nF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-

商品概述

None

商品特性

  • 典型栅极电荷低至35 nC
  • 在VGS = 10 V、ID = 4.0 A条件下,RDS(ON) < 1.45 Ω
  • 典型CRSS低至13 pF
  • 改善了dv/dt能力
  • 开关速度快
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准的产品

应用领域

  • 高效开关模式电源

数据手册PDF