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CPC3703CTR

1个N沟道耐压:250V 电流:360mA

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描述: MOSFETN-CH250V360MASOT-89
品牌名称: Littelfuse/IXYS
商品型号: CPC3703CTR
商品编号: C97512
商品封装: SOT-89-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.22克(g)

商品参数

商品概述

一款采用专有第三代垂直 DMOS 工艺的 N 沟道耗尽型场效应晶体管（FET）。第三代工艺通过经济的硅栅工艺实现了高压 MOSFET 性能。垂直 DMOS 工艺生产出的器件性能稳定、输入阻抗高，适用于高功率应用。该器件在需要低漏源电阻的功率应用中表现出色，尤其适用于汽车点火模块等寒冷环境。在 25°C 时，其最大导通电阻低至 4Ω。最小击穿电压为 250V，采用 SOT - 89 封装。与所有 MOS 器件一样，该 FET 结构可防止热失控和热致二次击穿。

商品特性

高击穿电压：250V
低导通电阻：25°C 时最大 4Ω
低 VGS(off) 电压：-1.6 至 -3.9V
耗尽型器件在低温下提供低 RDS(on)
高输入阻抗
小封装尺寸：SOT - 89

应用领域

点火模块-常开开关-固态继电器-转换器-电信-电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	250V
	连续漏极电流(Id)	360mA
	导通电阻(RDS(on))	4Ω@0V,200mA

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	1.1W
	阈值电压(Vgs(th))	-
	输入电容(Ciss)	350pF@25V
	工作温度	-55℃~+125℃@(Ta)