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SI7884BDP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:58A
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- 描述
- 特性：提供无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7884BDP-T1-GE3
- 商品编号
- C913429
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.54nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- TrenchFET功率MOSFET-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- DC/DC主开关