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SI7997DP-T1-GE3

2个P沟道耐压:30V

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描述: 特性：TrenchFET功率MOSFET PWM优化。100% Rg和UIS测试。应用：笔记本电脑的电池和负载开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7997DP-T1-GE3
商品编号: C913432
商品封装: PowerPAK-SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

商品概述

FTCO3V455A1是一款40V低Rds(on)汽车级功率模块，具有专为12V电池系统优化的三相MOSFET逆变器。它包含一个用于电流检测的精密分流电阻、一个用于温度检测的NTC以及一个RC缓冲电路。该模块采用沟槽MOSFET技术，旨在为电动助力转向、电液助力转向、电动水泵、电动油泵等应用提供非常紧凑且高性能的变速电机驱动器。该功率模块100%无铅，符合RoHS和UL标准。

商品特性

TrenchFET功率MOSFET
针对PWM优化
100%进行Rg和UIS测试
符合RoHS标准
无卤

应用领域

笔记本电脑的电池和负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	60A
	导通电阻(RDS(on))	5.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	45W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	106nC@10V
	输入电容(Ciss)	6.2nF
	反向传输电容(Crss)	560pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	615pF