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SI7450DP-T1-E3
1个N沟道 耐压:200V 电流:5.3A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻。 低至1.07 mm外形的PowerPAK封装。 针对快速开关进行PWM优化。 100%进行Rg测试。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：高密度DC/DC的初级侧开关。 电信/服务器48 V DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7450DP-T1-E3
- 商品编号
- C913434
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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