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NSS40300DDR2G
NSS40300DDR2G
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- 描述
- 低VCE(sat)晶体管的e2PowerEdge系列是表面贴装器件，具有超低饱和电压 (VCE(sat)) 和高电流增益能力。专为低压、高速开关应用而设计，在这些应用中，经济高效的能源控制非常重要。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSS40300DDR2G
- 商品编号
- C905018
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 653mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 180@1A,2V | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 135mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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