KSD1692YS
KSD1692YS
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- 描述
- NPN硅达林顿晶体管
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- KSD1692YS
- 商品编号
- C900971
- 商品封装
- TO-126-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 4000 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 8V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 1.5V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 高直流电流增益
- 低集电极饱和电压
- 发射极 - 集电极内置阻尼二极管
- 高功率耗散:Pc = 1.3 W(Ta = 25°C)


