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NVMFS6H824NT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFS6H824NT1G

1个N沟道 耐压:80V 电流:103A

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描述
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ,适用于汽车应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFS6H824NT1G
商品编号
C900472
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.1506克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)103A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)115W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.47nF@40V
反向传输电容(Crss)11pF@40V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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