NVMFS6D1N08HT1G
1个N沟道 耐压:80V 电流:89A
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- 描述
- 特性:小尺寸(5x6mm),适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗。 NVMFSW6D1N08H-可焊侧翼选项,便于光学检测。 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍,符合RoHS标准。应用:同步整流。 AC-DC和DC-DC电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS6D1N08HT1G
- 商品编号
- C900463
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.085nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1500个/圆盘
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