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MOC8050VM
DC输入 隔离电压(rms):4170V
- 描述
- MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MOC8050VM
- 商品编号
- C899883
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.18V | |
| 输出电流 | 150mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 3V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 500% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 500% | |
| 总功耗(Pd) | 270mW | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
MOC8021M和MOC8050M是光电达林顿型光耦合器。这些器件包含一个砷化镓红外发光二极管，与一个硅达林顿光电晶体管耦合。
商品特性
- 高集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：
- 最小值50 V（MOC8021M）
- 最小值80 V（MOC8050M）
- 高电流传输比：
- 最小值1000%（MOC8021M）
- 最小值500%（MOC8050M）
- 无基极连接，提高抗噪能力
- 安全和法规认证：
- UL1577，4170 VACRMS，持续1分钟
- DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V峰值工作绝缘电压
应用领域
- 家电、测量仪器
- 计算机输入/输出接口
- 可编程控制器
- 便携式电子设备
- 不同电位和阻抗的接口与耦合系统
- 固态继电器
交货周期
订货85-87个工作日购买数量
(1000个/袋，最小起订量 4000 个)个
起订量：4000 个1000个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单