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H11D3M
DC输入 隔离电压(rms):4170V
- 描述
- 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- H11D3M
- 商品编号
- C899453
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.15V | |
| 输出电流 | 100mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 负载电压 | 200V | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV@0.5mA,10mA | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
交货周期
订货85-87个工作日购买数量
(1000个/袋，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1000个/袋
总价金额：
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