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H11G2SM
DC输入 隔离电压(rms):4170V
- 描述
- H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- H11G2SM
- 商品编号
- C899469
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 达林顿晶体管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V | |
| 输出电流 | - | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 850mV@50mA,16mA | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
交货周期
订货85-87个工作日购买数量
(1000个/袋，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1000个/袋
总价金额：
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