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H11F3SVM
DC输入 隔离电压(rms):7500V
- 描述
- H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- H11F3SVM
- 商品编号
- C899464
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | AC,DC | |
| 输出类型 | FET | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V | |
| 输出电流 | 100mA | |
| 隔离电压(Vrms) | - | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载电压 | 15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 上升时间(tr) | 45us | |
| 下降时间 | 45us | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | - | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
H11FXM系列由一个镓铝砷红外发射二极管与一个对称的双边硅光电探测器耦合而成。该探测器与输入电路电气隔离，其性能类似于一个理想的隔离式场效应晶体管，专为无失真控制低电平交流和直流模拟信号而设计。H11FXM系列器件采用双列直插式封装。
商品特性
- 作为远程可变电阻：等效电阻范围为100Ω至≥300MΩ，并联电容≤15pF，输入/输出隔离电阻≥100GΩ
- 作为模拟开关：
- 极低的失调电压，信号能力为60Vp - p
- 无电荷注入或闩锁效应
- 通过UL认证（文件编号：E90700）
应用领域
- 作为远程可变电阻：
- 隔离式可变衰减器
- 自动增益控制
- 有源滤波器微调/频段切换
- 作为模拟开关：
- 隔离式采样保持电路
- 多路复用、光隔离的A/D转换
交货周期
订货85-87个工作日购买数量
(1000个/袋，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1000个/袋
总价金额：
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