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H11B1M
DC输入 隔离电压(rms):4170V
- 描述
- 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- H11B1M
- 商品编号
- C899445
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 达林顿晶体管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 150mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 3V | |
| 负载电压 | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@1mA,1mA | |
| 上升时间(tr) | 25us | |
| 下降时间 | 18us | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 500% | |
| 正向电流(If) | 80mA |