温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMBFJ310LT3G
MMBFJ310LT3G
- 描述
- 此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBFJ310LT3G
- 商品编号
- C896767
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 60mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |