NTTFS5C673NLTWG
1个N沟道 耐压:60V 电流:13A 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS5C673NLTWG
- 商品编号
- C893922
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
该器件在双封装中包含两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q2）和同步MOSFET（Q1）经过设计，可提供最佳的功率效率。
商品特性
- 小尺寸封装(3.3x3.3 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
- 48 V输入初级半桥
- 通信
- 通用负载点
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