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SBC857CLT1G实物图
  • SBC857CLT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SBC857CLT1G

PNP 电流:100mA 电压:45V

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描述
特性:S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
SBC857CLT1G
商品编号
C894285
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)420@2mA,5V
属性参数值
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))650mV@100mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
射基极击穿电压(Vebo)5V

数据手册PDF