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NSV60101DMTWTBG实物图
  • NSV60101DMTWTBG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSV60101DMTWTBG

NSV60101DMTWTBG

描述
安森美半导体的 e2PowerEdge 低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压 (VCE(sat)) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件,采用小外形 2x2mm 塑料无引线封装。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。 在汽车行业中,它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动,而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NSV60101DMTWTBG
商品编号
C889775
商品封装
WDFN-6-EP(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.042409克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)60V
耗散功率(Pd)2.27W
属性参数值
直流电流增益(hFE)55@2A,2V
特征频率(fT)180MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))130mV
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 9000 个)
起订量:9000 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

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