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NSVB1706DMW5T1G

50V 100mA

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描述: 偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。在 NSB1706DMW5T1G 中，两个 BRT 器件封装在 SC-88A 封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用来说是理想的。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NSVB1706DMW5T1G
商品编号: C889780
商品封装: SOT-353
包装方式: 编带
商品毛重: 0.014克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	2个NPN-预偏置(发射极耦合)
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	385mW
	晶体管类型	NPN
	直流电流增益(hFE)	80
	最小输入电压(VI(on))	1.3V@5mA,300mV

	属性	参数值
	最大输入电压(VI(off))	500mV
	输出电压(VO(on))	200mV
	输入电阻	6.1kΩ
	电阻比率	0.185
	工作温度	-55℃~+150℃
	集射极饱和电压(VCE(sat))	250mV
	集电极截止电流(Icbo)	100nA

商品概述

偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些独立元件。在NSB1706DMW5T1G中，两个BRT器件封装在SC - 88A封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用非常理想。

商品特性

-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

数据手册PDF

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