温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSVIMD10AMT1G
带单片偏置电阻网络的NPN和PNP硅表面贴装晶体管
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- NPN 和 PNP 硅表面贴装晶体管，带单片式偏置电阻网络。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVIMD10AMT1G
- 商品编号
- C889826
- 商品封装
- SC-74R-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 285mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 130Ω；13kΩ | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,1mA | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 高电流：最大集电极电流（IC） = 500 mA
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的 NSV 前缀；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），且符合 RoHS 标准
相似推荐
其他推荐
- NSVMMUN2112LT1G
- NSVMMUN2131LT1G
- NSVMMUN2132LT1G
- NSVMMUN2135LT1G
- NSVMMUN2136LT1G
- NSVMMUN2137LT1G
- NSVMMUN2212LT1G
- NSVMMUN2217LT1G
- NSVMMUN2230LT1G
- NSVMMUN2235LT1G
- NSVMMUN2236LT1G
- NSVMMUN2237LT1G
- NSVMUN2112T1G
- NSVMUN2212T1G
- NSVMUN2233T1G
- NSVMUN2236T1G
- NSVMUN2237T1G
- NSVMUN5131T1G
- NSVMUN5132T1G
- NSVMUN5133DW1T1G
- NSVMUN5135DW1T1G