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NSVBC858CLT1G
PNP 电流:100mA 电压:30V
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- 描述
- 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVBC858CLT1G
- 商品编号
- C889803
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 90@10uA,5.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 650mV@100mA,5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
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