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NCP349MNBKTBG
NCP349MNBKTBG
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- 描述
- 当检测到输入工作条件异常时，NCP349能够将系统与输出引脚断开。该系统具备正向过压保护功能，可承受高达 +28 V 的电压。 该器件采用内部NMOS，因此无需外部器件，从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。 若输入电压超过过压阈值（OVLO）或低于欠压阈值（UVLO），由于集成了低导通电阻（RON）功率NMOS（65 mΩ），NCP349能够立即将输出与输入断开。 上电时（EN引脚 = 低电平），当Vin超过欠压阈值后，Vout将在ton时间后开启。 NCP349提供一个负向标志（FLAG）输出，用于向系统发出故障警报。 此外，当使用1.0 μF或更大电容旁路时，该器件的输入具备ESD保护（空气放电15 kV）。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP349MNBKTBG
- 商品编号
- C892443
- 商品封装
- DFN-6-EP(1.6x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电荷泵 | |
| 工作电压(Vin) | 1.2V~28V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 140uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
当检测到输入工作条件异常时，NCP349能够将系统与输出引脚断开。该系统具备正向过压保护功能，可承受高达 +28 V 的电压。 该器件采用内部NMOS，因此无需外部器件，从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。 若输入电压超过过压阈值（OVLO）或低于欠压阈值（UVLO），由于集成了低导通电阻（RON）功率NMOS（65 mΩ），NCP349能够立即将输出与输入断开。 上电时（EN引脚 = 低电平），当Vin超过欠压阈值后，Vout将在ton时间后开启。 NCP349提供一个负向标志（FLAG）输出，用于向系统发出故障警报。 此外，当使用1.0 μF或更大电容旁路时，该器件的输入具备ESD保护（空气放电15 kV）。
商品特性
- 高达28 V的过压保护
- 片上低导通电阻（RDS(on)）NMOS晶体管：65 mΩ
- 内部电荷泵
- 过压锁定（OVLO）
- 欠压锁定（UVLO）
- 软启动
- 警报标志输出
- 关断EN输入
- 符合IEC61000 - 4 - 2（4级）8.0 kV（接触放电）15 kV（空气放电）
- ESD等级：机器模型μ = B，人体模型 = 2
- DFN6 1.6x2 mm封装
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 手机
- 拍照手机
- 数码相机
- 个人数字应用设备
- MP3播放器
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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