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SI7430DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:26A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7430DP-T1-GE3
- 商品编号
- C94560
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.2W；64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 极低的 Qgd,可降低dV/dt、Qgd 和直通电流
- 100%进行 Rg 测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关-单端功率开关-N沟道MOSFET
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