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SIS434DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:35A
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- 描述
- N沟道,40V,35A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS434DN-T1-GE3
- 商品编号
- C98688
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.53nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 100% 进行非钳位感性开关 (UIS) 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载点 (POL) 电源
- N 沟道 MOSFET
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