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MC74HC1G04DBVT1G实物图
  • MC74HC1G04DBVT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC74HC1G04DBVT1G

MC74HC1G04DBVT1G

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描述
是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。内部电路由多级组成,包括一个缓冲输出,可提供高抗噪性和稳定的输出。输出驱动电流是MC74HC系列的1/2。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MC74HC1G04DBVT1G
商品编号
C891435
商品封装
SC-74A-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录反相器
工作电压2V~6V
静态电流(Iq)1uA
通道数1
输入数1
灌电流(IOL)2.6mA
拉电流(IOH)2.6mA
属性参数值
输入高电平(VIH)1.5V~4.2V
输入低电平(VIL)500mV~1.8V
输出高电平(VOH)4.4V;2.9V;5.9V;1.9V
低电平范围(VOL)100mV
传播延迟(tpd)17ns@6V,50pF
系列74HC系列
工作温度-55℃~+125℃

商品概述

MC74HC1G04 是一种采用硅栅 CMOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。其内部电路由多个级组成,包括一个提供高噪声抗扰度和稳定输出的缓冲输出。MC74HC1G04 的输出驱动电流是 MC74HC 系列的一半。

特性:

  • 高速:tpD = 7 ns(典型值)在 VCC = 5 V 时
  • 低功耗:ICC = 1 μA(最大值)在 TA = 25℃ 时
  • 高噪声抗扰度
  • 平衡的传播延迟(tPLH = tPHL)
  • 对称的输出阻抗(IOH = IOL = 2 mA)
  • 芯片复杂度:<100 个 FET
  • NLV 前缀适用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q100 标准并具备 PPAP 能力
  • 无铅、无卤素/无 BFR 并符合 RoHS 标准

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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