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IRF640P-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:20A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF640P-VB
- 商品编号
- C878837
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 175°C结温
- 脉宽调制（PWM）优化
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- N沟道MOSFET