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IRF630P-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:10A
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- 描述
- 特性：DT-Trench功率MOSFET。 结温175℃。 PWM优化。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：初级侧开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF630P-VB
- 商品编号
- C878838
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 121W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- DT沟道功率MOSFET
- 结温175 °C
- 脉宽调制（PWM）优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关-N沟道MOSFET