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IRFI9530G-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFI9530G-VB
- 商品编号
- C878785
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,18A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-电源开关-DC/DC 转换器